本站原创复旦大学2016年在职人员攻读集成电路工程领域工程硕士专业学位研究生招生简章(201年月入学)
2016年招收工程硕士专业学位研究生.1992年),具备国际一流的软硬件办学条件.其前身是1958年由谢希德教授创办的半导体物理专业,1984年设立博士点,1988年成为国家重点学科.学科具有博士点1个,硕士点1个,本科专业1个,国家重点实验室1个.复旦大学微电子学院现有在职教职工97人,其中教授18人,研究员13人,副教授14人,副研究员4人,其他副高级职称3人.其中含教育部"长江学者"特聘教授3人,复旦大学特聘讲座教授3人,复旦大学特聘教授1人.国家千人计划获得者2人,国家杰出青年基金3人,国家青年千人计划获得者1人,上海市千人计划获得者6人,教育部创新团队1个,IEEEfellow1人.
复旦大学微电子学院是首批国家集成电路人才培养基地之一(2003年),国家首批工程博士培养点(2016年)以及国家集成电路人才国际培训(上海)基地(2016年),国家首批示范性微电子学院(2016年),具有丰富的集成电路方面人才培养经验和雄厚的产学联合基础.
二,招生领域
集成电路工程085209)
主要培养方向:集成电路器件与工艺方向集成电路设计与CAD方向
,招生对象
具有国民教育列学士学位或大学本科毕业(不受年限的限制,包括应届本科毕业生和在职技术或管理人员,原所学专业不限).
四,报名流程me.fudan.edu./instruct/mee/index1.的最新公告为准.
1.邮件提交预登记:即日起登录微电子学院工程硕士网站(me.fudan.edu./instruct/mee/index6.)下载集成电路工程硕士报名预登记表,填写完整并发送至mee@fudan.edu..
2网上报名:考生于6月2日7月1日登录(以下简称,chinadegrees./zzlk),按说明和要求完成网上报名,生成并打印《201年在职人员攻读硕士学位报名登记表》
3.现场确认:考生于7月1日15日持第二代居民(或护照)《201年在职人员攻读硕士学位报名登记表》,到指定的现场确认点核验确认报名信息.报名信息经考生签字确认后,一律不得更改.考生于10月1日后下载准考证.
5.缴纳专业课考试费:专业课考试费(2门共160元)
6.资格审查下载本人《201年在职人员攻读硕士专业学位资格审查表》,由所在单位人事部门(或档案管理部门)填写推荐意见并加盖公章在复旦大学规定时间到我校张江校区(浦东张江张衡路825号)微电子学院院办楼进行资格审查.
"学历认证"栏目公布的认证写作技巧机构和认证申请办法进行书面认证,并于面试前提交认证报告.凡于境外获得的文凭,学位证书须出示教育部留学怎么写作中心出具的认证报告.
五,考试科目
1.硕士研究生入学资格考试(英文名称为GraduateCandidateTest,简称GCT):国家统一组织.试题由四部分构成,分别测试考生的语言表达能力,数学基础能力,逻辑推理能力,外语运用能力(仅接受英语),总分400分,每部分满分100分,总计3个小时,每部分45分钟,全部为选择题.(具体参考书目见附件一)
2.专业:我校自行命题.(科目和参考书目见附件一,考试大纲见附件二)
3.专业:我校组织
六,考试时间
1.GCT:10月
2.专业:11月(以工程硕士网站为准)
,录取原则
,培养与管理
的培养统一由复旦大学研究生院管理,入学前须复旦大学签订培养协议书按照制定工程在职工程硕士培养方案,1.学习方式为在职不脱产,每周日上课,上课地点在复旦大学张江校区
2.学习年限一般为2.5年,最长不超过5年,培养费(含论文指导等全部学习费用)
集成电路工程:40000元
十,其他
国家要求执行.
,
51355221,:mee@fudan.edu.
最新信息,请随时关注微电子学院工程硕士网站:me.fudan.edu./instruct/mee/index0.
附件一:复旦大学201年工程硕士专业学位研究生入学考试科目及参考书目
GCT:试题由语言表达能力,数学基础能力,逻辑推理能力,外语运用能力四部分构成.
《硕士学位研究生入学资格考试指南》(科学技术文献出版社)参考教材由清华大学出版社出版.
专业:由我校自行命题.(具体科目和参考书目见下表)
专业:我校组织
领域名称(方向)专业考试科目
(二选一)参考书目集成电路工程(集成电路器件与工艺方向,集成电路设计与CAD方向)电子技术基础
或
半导体器件《电子技术基础》参考书目:
《模拟电子技术基础》童诗白高等教育出版社
《数字电子技术基础》阎石高等教育出版社
《半导体器件》参考书目:
《双极型与MOS半导体器件原理》黄均鼐等,复旦大学出版社
《半导体器件物理基础》(第1,2,3,5章)曾树荣,北京大学出版社,北京大学出版社
附件二:考试大纲
《电子技术基础》考试大纲
基本参考书:
模拟电路部分《模拟电子技术基础》(第三版)童诗白,华成英高等教育出版社
数字电路部分《数字电子技术基础》(第四版)阎石高等教育出版社
一、考试方法和考试时间
考试采用闭卷,笔试形式,考试时间为180分钟.
二,考试内容和考试要求
说明:每章要求中,熟悉内容为基本概念类内容,掌握内容为分析,设计与计算类内容.
基本放大电路
多级放大电路与集成放大电路
负反馈放大电路
放大电路的频率特性
组合逻辑电路
触发器及其简单应用
时序逻辑电路
基本放大电路
本章要求:熟悉晶体管与场效应管的工作原理
掌握晶体管与场效应管的交流小信号等效模型
掌握晶体管单管放大电路的工作点估算,共射(包括带发射极电阻的共射)电路和共集放大电路的动态分析
场效应管放大电路的动态分析
了解三种接法的比较结果
晶体管与场效应管
晶体管的类型,结构与工作原理
场效应管的类型,结构与工作原理
晶体管单管放大电路
晶体管的静态工作点估算
晶体管的交流小信号等效模型
共射放大电路的动态分析
带发射极电阻的共射放大电路的动态分析
共集放大电路的动态分析
共基放大电路的动态分析
三种接法的比较
场效应管单管放大电路
场效应管的静态工作点估算
场效应管的交流小信号等效模型
场效应管放大电路的动态分析
多级放大电路与集成放大电路
本章要求:熟悉多级放大电路的结构与级间耦合方式的特点
熟悉集成运放的结构与特点,集成运放的性能指标
掌握差分放大电路以及多级放大电路的动态分析
多级放大电路
多级放大电路的结构
级间耦合方式
多级放大电路的动态分析
电流源电路
基本电流源电路
其他电流源电路
差分放大电路
基本电路结构与特性
差分放大电路的四种接法
带电流源偏置电路的差分放大电路
带电流源负载电路的差分放大电路
互补输出级电路
基本电路
交越失真及其消除方法
集成运放
集成运放的结构与特点
集成运放的性能指标
负反馈放大电路
本章要求:熟悉反馈的基本概念,四种基本组态及其对电路特性的影响
掌握正确判断反馈的类型和反馈组态
掌握深度负反馈电路的分析,能用深度负反馈电路的分析手段分析集成运放构成的一般电路
反馈的判断
反馈的基本概念
反馈的判断
负反馈电路的四种基本组态
四种基本组态
反馈组态的判断
负反馈电路的特性
四种基本组态的信号特征
负反馈对于电路特性的影响
深度负反馈电路和集成运放的运用
深度负反馈电路的分析
用集成运放构成的深度负反馈电路
放大电路的频率特性
本章要求:熟悉晶体管与场效应管的高频等效模型
掌握晶体管与场效应管单管放大器的频率响应特性
了解集成运放的频率响应特性,了解频率补偿的方法与作用
晶体管与场效应管的高频等效模型
晶体管的高频等效模型
场效应管的高频等效模型
单管放大电路的频率响应
单管共射放大电路的频率响应
单管共源放大电路的频率响应
单管共集放大电路和共基放大电路的频率响应
不同接法的放大电路的频率响应比较
集成运放的稳定性与频率补偿
集成运放的频率响应
负反馈放大电路的稳定性
集成运放的频率补偿
组合逻辑电路
本章要求:掌握逻辑代数的基本公式和基本定理
掌握逻辑函数的卡诺图化简方法
掌握组合逻辑电路的分析与设计过程
了解组合逻辑电路中的竞争-冒险现象产生的原因及消除方法
逻辑代数基础
逻辑代数的基本公式和基本定理
逻辑函数的标准表示方法
逻辑函数的卡诺图化简
组合逻辑电路的分析与设计
组合逻辑电路的分析方法
组合逻辑电路的设计方法
常用的组合逻辑电路
加法器
编码器和译码器
组合逻辑电路中的竞争-冒险现象
组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的成因及其判别
组合逻辑电路中的竞争-冒险现象的消除
触发器及其简单应用
本章要求:掌握四种基本触发器的逻辑功能及它们的相互转换
掌握触发器的简单应用
四种基本触发器
触发器的结构
四种触发器的逻辑功能
四种触发器之间的相互转换
寄存器和移位寄存器
寄存器
移位寄存器
异步计数器
异步二进制计数器
移位寄存器型计数器
时序逻辑电路
本章要求:掌握同步时序电路的分析与设计过程
了解异步时序电路的分析与设计过程
时序电路模型
两种时序电路的模型
同步时序电路的分析
状态机
同步时序电路分析
同步时序电路的设计
状态的构造
同步时序电路设计
异步时序电路的分析
异步时序电路的分析
异步时序电路中的竞争-冒险现象
异步时序电路的设计
异步时序电路设计的一般过程
异步时序电路设计的例子
《半导体器件》考试大纲
基本参考书:
《半导体器件原理》(第1-7章),黄均鼐等,复旦大学出版社
《半导体器件物理基础》(第1,2,3,5章),曾树荣,北京大学出版社,北京大学出版社
一、考试方法和考试时间
考试采用闭卷,笔试形式,考试时间为180分钟.
二,考试内容和考试要求
《半导体器件》包括半导体物理器件.半导体物理器件电子状态
的晶体结构晶面指数
理想晶体中
晶体有化电子的运动
的
平衡载流子统计
带中电子的状态密度
本征半导体的杂质
电导率和迁移率
载流子的散射
迁移率温度的
强电场
非平衡载流子
非平衡载流子的非平衡载流子的复合
复合中心和陷阱
非平衡载流子的扩散
连续性方程
结
平衡结
结的特性
PN结的电容
结的击穿
金半接触欧姆接触
异质结
MOS电容
氧化硅和硅的界面
MOS电容中的电荷
理想MOS电容的CV关系
实际MOS的CV关系及其应用
双极型晶体管
晶体管的原理
特性
高频特性
MOET
MOET的
阈值电压及
直流
跨导
击穿特性
CMOS
二级效应(亚阈值效应-漏电流,沟道长度调制效应,小尺寸效应,表面迁移率和漏端速度饱和效应,CMOS电路的闭锁效应)
(工艺部分)
基本要求:
了解从晶体管到硅集成电路的发展过程,
熟悉硅平面工艺的基本原理,
掌握各类集成电路的结构特点和工艺流程.
从晶体管到硅集成电路
从锗点接触晶体管的发明到第一块锗集成电路的问世
半导体材料从锗到硅的演变
现代集成电路技术的发展基础
硅外延平面晶体管的结构和制造工艺
双极型硅集成电路的基本结构和工艺特点
集成电路中的隐埋层
集成电路中的PN结隔离
双极型硅集成电路制造工艺流程
氧化
SiO2的结构及性质
SiO2在集成电路中的应用
SiO2的制备及原理
扩散
扩散的机理
扩散方程及其解
影响杂质分布的其他因素
扩散工艺参量
扩散杂质的选择
扩散方法
光刻
光刻原理
4.1.1光源
4.1.2系统
4.1.3光致抗蚀剂
光刻工艺流程
外延
硅气相外延的基本原理
外延层中的掺杂
薄膜工艺
物理气相淀积
6.1.1真空蒸发的基本原理
6.1.2蒸发源
6.1.3溅射
化学气相淀积
6.2.1常压化学气相淀积
6.2.2低压化学气相淀积
6.2.3等离子增强化学气相淀积
6.2.4CVD技术在VLSI生产中的应用
离子注入
离子注入的工艺原理
离子注入损伤及其退火处理
离子注入在集成电路中的应用
刻蚀
VLSI对图形转移的要求
湿法腐蚀
干法刻蚀
工艺集成
集成电路中的一些基本单元器件
MOS集成电路的工艺集成
9.2.1MOS集成电路的基本结构和特点
9.2.2NMOS硅栅集成电路工艺
9.2.3CMOS集成电路的工艺集成
9.2.4BiCMOS集成电路的工艺集成
9.2.5SOICMOS集成电路工艺
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